MOSFET Infineon, canale N 650 V, 0.042 Ω Miglioramento, 47 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie IGLT65R035D2ATMA1

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Codice RS:
351-889
Codice costruttore:
IGLT65R035D2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IGLT65

Tipo di package

PG-HDSOP-16

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.042Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

154W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon serie IGLT65, tensione sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 47 A - IGLT65R035D2ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e il controllo di potenza industriale. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per assemblaggi di circuiti a montaggio superficiale in cui è richiesta una robusta gestione della tensione da drain a sorgente e una carica di gate moderata. Il pacchetto supporta il montaggio multi-pin e l'integrazione in moduli di alimentazione compatti per sistemi elettronici esigenti.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale drain-source 650 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 47 A che consente di gestire correnti elevate
• RDS(on) di 0,042 Ω per perdite di conduzione ridotte
• Dissipazione di potenza di 154 W per gestire il carico termico
• Carica gate tipica di 7,7 nC per un gate driving efficiente
• Contenitore a montaggio superficiale PG‐HDSOP‐16 per layout di circuito stampato compatti

Applicazioni


• Adatto per gli stadi degli inverter industriali ad alta tensione
• Utilizzato con alimentatori che richiedono una capacità di commutazione di 47 A
• Ideale per i front-end di azionamento del motore nelle apparecchiature industriali
• Può essere utilizzato per circuiti snubber e a morsetto in sistemi ad alta tensione
• Adatto per moduli di potenza compatti che richiedono MOSFET a montaggio superficiale

Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?


È specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili e installazioni industriali a temperature estese.

Quanti pin presenta il pacchetto per considerazioni di layout del circuito stampato?


Il componente utilizza una configurazione a 16 pin che informa il design dell'ingombro e il posizionamento termico per un'efficace diffusione del calore.

Quali limitazioni di tensione dell'azionamento del gate devono essere rispettate?


La tensione massima da gate a sorgente è di 10 V, pertanto i circuiti driver gate devono limitare l'ampiezza dell'azionamento di conseguenza.

Il dispositivo soddisfa gli standard di prova del settore per le applicazioni industriali?


È prodotto secondo i criteri JEDEC per l'uso industriale, allineandolo con le aspettative di qualificazione e affidabilità comuni per quel settore.

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