MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.68 mΩ Miglioramento, 230 A, 10 Pin, PG-LHDSO-10-1, Superficie IAUCN04S6N013TATMA1

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Codice RS:
349-164
Codice costruttore:
IAUCN04S6N013TATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

230A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PG-LHDSO-10-1

Serie

OptiMOS-TM6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.68mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

133W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET automotive Infineon è un MOSFET di potenza OptiMOS progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo con modalità arricchimento del canale N, con caratteristiche di livello normale. Il MOSFET è sottoposto a qualifiche più estese rispetto agli standard AEC-Q101 e presenta test elettrici avanzati, che garantiscono prestazioni affidabili. Il suo design robusto lo rende adatto agli ambienti automobilistici più impegnativi, offrendo durata ed efficienza nella gestione dell'alimentazione.

MSL1 con un massimo di 260 °C per il riflusso di picco

Temperatura d'esercizio 175 °C

Conforme alla direttiva RoHS

Applicazione potenziale

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