Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics 40 V, 3.85 mΩ, 103 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL100N4LF8

Codice RS:: 365-173
Codice costruttore:: STL100N4LF8
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics 40 V, 3.85 mΩ, 103 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL100N4LF8

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2427,00 €

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Codice RS:: 365-173
Codice costruttore:: STL100N4LF8
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	103A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	PowerFLAT
	Serie	STL
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.85mΩ
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	28nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	52W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	JEDEC
	Larghezza	3.3mm
	Altezza	800μm
	Lunghezza	3.3mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 103A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package PowerFLAT
	Serie STL
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.85mΩ
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 52W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni JEDEC
	Larghezza 3.3mm
	Altezza 800μm
	Lunghezza 3.3mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è uno STripFET F8 avanzato che raggiunge frequenze di commutazione più elevate rispetto alle tecnologie precedenti, grazie alle basse capacità del dispositivo che riducono al minimo i parametri dinamici e le perdite di commutazione. Ciò consente ai progettisti di utilizzare componenti capacitivi e magnetici più piccoli in soluzioni più compatte ed economiche, aumentando al contempo la densità di potenza dell'applicazione finale.

Carica del gate ottimizzata per una maggiore velocità di commutazione

Maggiore immunità alle spurie di accensione

RDS(on) più basso per una maggiore efficienza del sistema

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