MOSFET STMicroelectronics 40 V, 3.85 mΩ, 103 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie
- Codice RS:
- 365-175
- Codice costruttore:
- STL100N4LF8
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 365-175
- Codice costruttore:
- STL100N4LF8
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 103A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.85mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 52W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Larghezza | 3.3 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 103A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.85mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 52W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Altezza 0.8mm | ||
Larghezza 3.3 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è uno STripFET F8 avanzato che raggiunge frequenze di commutazione più elevate rispetto alle tecnologie precedenti, grazie alle basse capacità del dispositivo che riducono al minimo i parametri dinamici e le perdite di commutazione. Ciò consente ai progettisti di utilizzare componenti capacitivi e magnetici più piccoli in soluzioni più compatte ed economiche, aumentando al contempo la densità di potenza dell'applicazione finale.
Carica del gate ottimizzata per una maggiore velocità di commutazione
Maggiore immunità alle spurie di accensione
RDS(on) più basso per una maggiore efficienza del sistema