Mosfet SiC senza diodo Starpower, canale Interruttore singolo 1.2 kV, 105 mΩ Miglioramento, 37 A, 4 Pin, Nastro e

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Codice RS:
427-759
Codice costruttore:
DM800S12TDRB
Costruttore:
Starpower
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Marchio

Starpower

Tipo prodotto

Mosfet SiC senza diodo

Tipo di canale

Interruttore singolo

Massima corrente di scarico continua Id

37A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Serie

DOSEMI

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

105mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

4.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

162W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Starpower Power Discrete fornisce perdite di conduzione ultrabasse e basse perdite di commutazione. Sono progettati per applicazioni come i veicoli ibridi ed elettrici.

MOSFET di potenza SiC

Basso valore di RDS(on)

Il contenitore a bassa induttanza evita le oscillazioni

ROHS

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