Mosfet SiC senza diodo Starpower, canale Interruttore singolo 1200 V, 55.2 mΩ N, 64 A, 4 Pin, Nastro e avvolgicavo, Foro

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Codice RS:
427-757
Codice costruttore:
DM400S12TDRB
Costruttore:
Starpower
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Marchio

Starpower

Tipo di canale

Interruttore singolo

Tipo prodotto

Mosfet SiC senza diodo

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

DOSEMI

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55.2mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86.6nC

Tensione diretta Vf

3.85V

Dissipazione di potenza massima Pd

268W

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Starpower Power Discrete fornisce una perdita di conduzione estremamente bassa e una bassa perdita di commutazione. Sono progettati per applicazioni come i veicoli ibridi ed elettrici.

MOSFET di potenza SiC

Basso valore di RDS(on)

Il contenitore a bassa induttanza evita le oscillazioni

ROHS

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