Mosfet SiC senza diodo Starpower, canale Interruttore singolo 1.2 kV, 29.0 mΩ Miglioramento, 118 A, 4 Pin, Nastro e

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

20,95 €

(IVA esclusa)

25,56 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 11 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 920,95 €
10 - 9918,85 €
100 +17,39 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
427-760
Codice costruttore:
DM170S12TDRB
Costruttore:
Starpower
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Starpower

Tipo di canale

Interruttore singolo

Tipo prodotto

Mosfet SiC senza diodo

Massima corrente di scarico continua Id

118A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

DOSEMI

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29.0mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

19V

Tensione diretta Vf

3.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

355W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Starpower Power Discrete fornisce una perdita di conduzione estremamente bassa e una bassa perdita di commutazione. Sono progettati per applicazioni come i veicoli ibridi ed elettrici.

MOSFET di potenza SiC

Basso valore di RDS(on)

Tecnologia di sinterizzazione chip

Il contenitore a bassa induttanza evita le oscillazioni

ROHS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.