Mosfet SiC senza diodo Starpower, canale Interruttore singolo 1200 V, 29.0 mΩ N, 118 A, 4 Pin, Nastro e avvolgicavo,
- Codice RS:
- 427-760
- Codice costruttore:
- DM170S12TDRB
- Costruttore:
- Starpower
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- Codice RS:
- 427-760
- Codice costruttore:
- DM170S12TDRB
- Costruttore:
- Starpower
Specifiche
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Starpower | |
| Tipo prodotto | Mosfet SiC senza diodo | |
| Tipo di canale | Interruttore singolo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 118A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | Nastro e avvolgicavo | |
| Serie | DOSEMI | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 29.0mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 19 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 355W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Starpower | ||
Tipo prodotto Mosfet SiC senza diodo | ||
Tipo di canale Interruttore singolo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 118A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package Nastro e avvolgicavo | ||
Serie DOSEMI | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 29.0mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 19 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 355W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET Starpower Power Discrete fornisce una perdita di conduzione estremamente bassa e una bassa perdita di commutazione. Sono progettati per applicazioni come i veicoli ibridi ed elettrici.
MOSFET di potenza SiC
Basso valore di RDS(on)
Tecnologia di sinterizzazione chip
Il contenitore a bassa induttanza evita le oscillazioni
ROHS
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