MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -20 V, 70 mΩ Miglioramento, 8 Pin, DFN1616-6 W, Superficie RV4C060ZPHZGTCR1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-539
Codice costruttore:
RV4C060ZPHZGTCR1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

DFN1616-6 W

Serie

RV4

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

1.7mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido di metallo a canale P di ROHM da 20 volt e 6 ampere per piccoli segnali è testato per la commutazione induttiva al 100% senza morsetti, con fianco saldabile per ispezione ottica automatizzata e garanzia di parte elettrodo di 130 micrometri.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto compatto ad alta potenza

Azionamento a bassa tensione (1,5 V)

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