2 Array MOSFET ROHM, canale Tipo N, 60 mΩ, 12.5 A 100 V, HSMT-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HT8KE6HTB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-615
Codice costruttore:
HT8KE6HTB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

Array MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HSMT-8

Serie

HT8KE6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

14W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, Halogen Free, Pb Free

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza all'accensione e piccolo contenitore a stampo ad alta potenza adatto per le applicazioni di commutazione e azionamento dei motori.

Placcatura senza Pb

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni

100% Rg e UIS testato

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