MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 40 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS4D7N04XMT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
648-507
Codice costruttore:
NTMFS4D7N04XMT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

66A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTM

Tipo di package

DFN-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Larghezza

6.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
La più recente tecnologia MOSFET di potenza a livello di gate standard da 40 V di ON Semiconductor con la migliore resistenza all'accensione della classe per le applicazioni di driver per motori. La minore resistenza all'accensione e la minore carica del gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di azionamento. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.

Tecnologia MOSFET di potenza standard a livello di gate da 40 V Latest

Bassa resistenza all'accensione

Carica gate inferiore

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