Codice costruttore

MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 40 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NVMFWS004N04XMT1G

Codice RS:: 648-508
Codice costruttore:: NVMFWS004N04XMT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 40 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NVMFWS004N04XMT1G

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Codice RS:: 648-508
Codice costruttore:: NVMFWS004N04XMT1G
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	66A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	DFN-5
	Serie	NVM
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.7mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	38W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	10.6nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	6mm
	Standard/Approvazioni	PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS
	Larghezza	5 mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 66A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package DFN-5
	Serie NVM
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.7mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 38W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.6nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 6mm
	Standard/Approvazioni PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS
	Larghezza 5 mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - NVMFWS004N04XMT1G

Paese di origine:: MY

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico ON Semiconductor in un contenitore con cavo piatto da 5 x 6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti e che include elevate prestazioni termiche. Opzione a fianco umidificabile disponibile per un'ispezione ottica migliorata. MOSFET qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP adatto per applicazioni automobilistiche.

Piccolo ingombro

Basso valore di RDS(on)

Bassa QG e capacità

Opzione a fianco umidificabile

Qualificato AEC−Q101 e in grado di PPAP

Soluzione conforme alla direttiva RoHS

MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 40 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NVMFWS004N04XMT1G

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