MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 40 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NVMFWS004N04XMT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
648-508
Codice costruttore:
NVMFWS004N04XMT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

66A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NVM

Tipo di package

DFN-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza per uso automobilistico ON Semiconductor in un contenitore con cavo piatto da 5 x 6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti e che include elevate prestazioni termiche. Opzione a fianco umidificabile disponibile per un'ispezione ottica migliorata. MOSFET qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP adatto per applicazioni automobilistiche.

Piccolo ingombro

Basso valore di RDS(on)

Bassa QG e capacità

Opzione a fianco umidificabile

Qualificato AEC−Q101 e in grado di PPAP

Soluzione conforme alla direttiva RoHS

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