MOSFET onsemi, canale N 40 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 200 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS5C430NLT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
920-9903
Codice costruttore:
NTMFS5C430NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

200A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

810mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.1mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Lunghezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, 40V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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