MOSFET onsemi, canale N, 2,2 mΩ, 200 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 920-9903
Codice costruttore:: NTMFS5C430NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,2 mΩ, 200 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 920-9903
Codice costruttore:: NTMFS5C430NLT1G
Costruttore:: onsemi

NTMFS5C430NL, Power MOSFET 40V, 1.5mOhm, 200A, Single N−Channel
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	2,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 4,5 V, 70 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.1mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 2,2 mΩ, 200 A, DFN, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 40V, ON Semiconductor

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