MOSFET singoli onsemi, canale N 1.2 kV, 515 mΩ Miglioramento, 7.6 A, 3 Pin, TO-247-3, Foro passante UF3C120400K3S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
648-529
Codice costruttore:
UF3C120400K3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

UF3

Tipo di package

TO-247-3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

515mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.03mm

Lunghezza

20.96mm

Larghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CH
I JFET Cascode EliteSiC di ON Semiconductor combinano un JFET SiC normalmente acceso con un MOSFET Si per creare un dispositivo normalmente spento in una configurazione di circuito cascode, offrendo prestazioni di commutazione e affidabilità superiori. I vantaggi includono un'elevata efficienza, una frequenza più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e dimensioni ridotte del sistema. Questi dispositivi supportano i driver gate standard, semplificando la sostituzione di IGBT Si e dispositivi di super-giunzione. Ideale per la commutazione di carichi induttivi.

Resistenza on RDS(on)

Temperatura d'esercizio massima di 175 °C

Eccellente recupero inverso

Bassa carica del gate

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