MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.00475 Ω Miglioramento, 78 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SIJ4406DP-T1-GE3

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Codice RS:
653-105
Codice costruttore:
SIJ4406DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

78A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIJ4406DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00475Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

41.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.9nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.14mm

Larghezza

5.25mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 40 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8L, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire una carica di gate (Qg) molto bassa, una carica di uscita ridotta (Qoss) e un'eccellente efficienza di commutazione.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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