MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.00475 Ω Miglioramento, 78 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SIJ4406DP-T1-GE3

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Codice RS:
653-105
Codice costruttore:
SIJ4406DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

78A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIJ4406DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00475Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

41.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.25 mm

Lunghezza

6.25mm

Altezza

1.14mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 40 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8L, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire una carica di gate (Qg) molto bassa, una carica di uscita ridotta (Qoss) e un'eccellente efficienza di commutazione.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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