MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.00475 Ω Miglioramento, 62.8 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIS4406DN-T1-GE3

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Codice RS:
653-146
Codice costruttore:
SIS4406DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

62.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIS4406DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00475Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

33.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.30mm

Altezza

0.41mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 40 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK 1212-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire una bassa carica di gate (Qg), una carica di uscita ridotta (Qoss) e prestazioni di commutazione ottimizzate.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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