MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.00475 Ω Miglioramento, 62.8 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIS4406DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1173,00 €

(IVA esclusa)

1431,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,391 €1.173,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-146
Codice costruttore:
SIS4406DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

62.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIS4406DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00475Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

33.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.41mm

Larghezza

3.30 mm

Lunghezza

3.30mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 40 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK 1212-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire una bassa carica di gate (Qg), una carica di uscita ridotta (Qoss) e prestazioni di commutazione ottimizzate.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati