MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.028 Ω Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito stampato

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1278,00 €

(IVA esclusa)

1560,00 €

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Codice RS:
653-185
Codice costruttore:
SQ7414CENW-T1_JE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SQ7414CENW

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.028Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

62W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.12mm

Larghezza

3.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET singoli serie SQ7414CENW di Vishay, tensione sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 18 A - SQ7414CENW-T1_JE3


Questo singolo MOSFET fornisce capacità di commutazione e amplificazione per circuiti elettronici di potenza in contesti automobilistici e industriali impegnativi. Progettato come dispositivo di potenziamento a canale N, è progettato per il montaggio su circuito stampato in cui sono richieste conduzione controllata e resilienza termica.

Caratteristiche e vantaggi:


• Tensione di drenaggio massima 60 V per sistemi ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 18 A per gestire correnti di carico sostanziali • resistenza di accensione di 0,028 Ω che riduce le perdite di conduzione • Carica gate tipica 25 nC per un controllo di commutazione efficiente • Dissipazione di potenza di 62 W che consente una gestione della potenza elevata • Temperatura d'esercizio massima di 175 °C per ambienti ad alta temperatura

Applicazioni


• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica che richiedono componenti di grado AEC‐Q101 • Ideale per le fasi di azionamento dei motori nei sistemi di automazione industriale • Utilizzato per le funzioni di commutazione nelle unità di gestione dell'alimentazione su circuiti stampati • Può essere utilizzato per la protezione della batteria e la commutazione del carico nell'elettronica dei veicoli

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione efficiente?


Utilizzare un driver gate in grado di generare e dissipare correnti per ottenere il dv/dt desiderato data la carica tipica del gate di 25 nC alla tensione del gate applicata.

Come deve essere affrontata la gestione termica su un circuito stampato?


Fornisce vie termiche e un'adeguata area di rame sul circuito stampato per dissipare fino a 62 W e mantenere le temperature di giunzione al di sotto dei limiti di sicurezza al massimo di 175 °C specificato.

Quali limiti devono essere rispettati per tensioni di esercizio sicure?


Assicurarsi che la tensione drain-sorgente non superi mai 60 V e che la tensione gate-sorgente rimanga entro ±20 V per evitare lo stress del dispositivo.

Esistono considerazioni per gli estremi ambientali a lungo termine?


Progettato per il funzionamento fino a -55 °C e fino a 175 °C di temperatura massima del dispositivo, selezionando materiali e layout che consentono il ciclo termico e l'espansione.

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