MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.028 Ω Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito stampato
- Codice RS:
- 653-186
- Codice costruttore:
- SQ7414CENW-T1_JE3
- Costruttore:
- Vishay
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- SQ7414CENW-T1_JE3
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Specifiche
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | SQ7414CENW | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.028Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie SQ7414CENW | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.028Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Altezza 1.12mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET singoli serie SQ7414CENW di Vishay, tensione sorgente di drenaggio 60 V, corrente di drenaggio continua 18 A - SQ7414CENW-T1_JE3
Questo singolo MOSFET fornisce capacità di commutazione e amplificazione per circuiti elettronici di potenza in contesti automobilistici e industriali impegnativi. Progettato come dispositivo di potenziamento a canale N, è progettato per il montaggio su circuito stampato in cui sono richieste conduzione controllata e resilienza termica.
Caratteristiche e vantaggi:
• Tensione di drenaggio massima 60 V per sistemi ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 18 A per gestire correnti di carico sostanziali • resistenza di accensione di 0,028 Ω che riduce le perdite di conduzione • Carica gate tipica 25 nC per un controllo di commutazione efficiente • Dissipazione di potenza di 62 W che consente una gestione della potenza elevata • Temperatura d'esercizio massima di 175 °C per ambienti ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica che richiedono componenti di grado AEC‐Q101 • Ideale per le fasi di azionamento dei motori nei sistemi di automazione industriale • Utilizzato per le funzioni di commutazione nelle unità di gestione dell'alimentazione su circuiti stampati • Può essere utilizzato per la protezione della batteria e la commutazione del carico nell'elettronica dei veicoli
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione efficiente?
Utilizzare un driver gate in grado di generare e dissipare correnti per ottenere il dv/dt desiderato data la carica tipica del gate di 25 nC alla tensione del gate applicata.
Come deve essere affrontata la gestione termica su un circuito stampato?
Fornisce vie termiche e un'adeguata area di rame sul circuito stampato per dissipare fino a 62 W e mantenere le temperature di giunzione al di sotto dei limiti di sicurezza al massimo di 175 °C specificato.
Quali limiti devono essere rispettati per tensioni di esercizio sicure?
Assicurarsi che la tensione drain-sorgente non superi mai 60 V e che la tensione gate-sorgente rimanga entro ±20 V per evitare lo stress del dispositivo.
Esistono considerazioni per gli estremi ambientali a lungo termine?
Progettato per il funzionamento fino a -55 °C e fino a 175 °C di temperatura massima del dispositivo, selezionando materiali e layout che consentono il ciclo termico e l'espansione.
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