MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 900 V, 12 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, HIP-247-3, Superficie

Immagine rappresentativa della gamma

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

22,09 €

(IVA esclusa)

26,95 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 286 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 422,09 €
5 +21,43 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
719-464
Codice costruttore:
SCT012W90G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

900V

Serie

Sct

Tipo di package

HIP-247-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

138nC

Tensione diretta Vf

2.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Dissipazione di potenza massima Pd

625W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Altezza

20.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.