MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 900 V, 12 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, HIP-247-3, Superficie

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Codice RS:
719-464
Codice costruttore:
SCT012W90G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

900V

Serie

Sct

Tipo di package

HIP-247-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

138nC

Dissipazione di potenza massima Pd

625W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

2.8V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Altezza

20.15mm

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

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