Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1700 V, 1.66 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante

Codice RS:: 212-2091
Codice costruttore:: SCT1000N170
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1700 V, 1.66 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

298,89 €

(IVA esclusa)

364,65 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 11 febbraio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per Tubo*
30 +	9,963 €	298,89 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 212-2091
Codice costruttore:: SCT1000N170
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1700V
	Serie	SCT1000N170
	Tipo di package	Hip-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.66Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	96W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13.3nC
	Tensione diretta Vf	4.5V
	Temperatura massima di funzionamento	200°C
	Lunghezza	15.75mm
	Altezza	5.15mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1700V
	Serie SCT1000N170
	Tipo di package Hip-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.66Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 96W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.3nC
	Tensione diretta Vf 4.5V
	Temperatura massima di funzionamento 200°C
	Lunghezza 15.75mm
	Altezza 5.15mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

DataSheet - SCT1000N170

MOSFET SiC

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con il contenitore del dispositivo nel contenitore HiP247 proprietario, consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Basse capacità

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.