Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.7 kV, 1.66 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCT1000N170

Codice RS:: 212-2091
Codice costruttore:: SCT1000N170
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.7 kV, 1.66 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCT1000N170

Prezzo per 30 unità, in un tubo da 30*

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30 +	9,951 €	298,53 €

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Codice RS:: 212-2091
Codice costruttore:: SCT1000N170
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1.7kV
	Serie	SCT1000N170
	Tipo di package	Hip-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.66Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	22V
	Tensione diretta Vf	4.5V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13.3nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	96W
	Temperatura massima di funzionamento	200°C
	Altezza	5.15mm
	Lunghezza	15.75mm
	Larghezza	20.15mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.7kV
	Serie SCT1000N170
	Tipo di package Hip-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.66Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V
	Tensione diretta Vf 4.5V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.3nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 96W
	Temperatura massima di funzionamento 200°C
	Altezza 5.15mm
	Lunghezza 15.75mm
	Larghezza 20.15mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

DataSheet - SCT1000N170

MOSFET SiC

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con il contenitore del dispositivo nel contenitore HiP247 proprietario, consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Basse capacità

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