MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1700 V, 1.66 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCT1000N170

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
212-2092
Codice costruttore:
SCT1000N170
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1700V

Serie

SCT1000N170

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.66Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

4.5V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Larghezza

20.15 mm

Altezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET SiC


Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con il contenitore del dispositivo nel contenitore HiP247 proprietario, consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Basse capacità

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