MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.7 kV, 1.66 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCT1000N170

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
212-2092
Codice costruttore:
SCT1000N170
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.7kV

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCT1000N170

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.66Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Tensione diretta Vf

4.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.3nC

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

15.75mm

Altezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

20.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET SiC


Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con il contenitore del dispositivo nel contenitore HiP247 proprietario, consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Basse capacità

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