MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 30 V, 1.8 mΩ Miglioramento, 125 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Montaggio superficiale

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Codice RS:
762-987
Codice costruttore:
IPB018N03LF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

125A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PG-TO263-3

Serie

StrongIRFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.83mm

Lunghezza

15.88mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza StrongIRFET 2 Infineon è un MOSFET a canale N da 30 V adatto per varie applicazioni. Funziona in condizioni estreme, con una temperatura nominale massima di 175 °C ed è conforme alle normative ambientali.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Placcatura del cavo senza piombo.

Conformità alla direttiva RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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