MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 30 V, 2.35 mΩ Miglioramento, 119 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie
- Codice RS:
- 762-990
- Codice costruttore:
- IPB023N03LF2SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Immagine rappresentativa della gamma
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
3,01 €
(IVA esclusa)
3,67 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 790 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,01 € |
| 10 - 99 | 1,96 € |
| 100 - 499 | 1,34 € |
| 500 - 799 | 1,18 € |
| 800 + | 1,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 762-990
- Codice costruttore:
- IPB023N03LF2SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 119A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.35mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 107W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.67mm | |
| Lunghezza | 15.88mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 119A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.35mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 107W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.67mm | ||
Lunghezza 15.88mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor di potenza StrongIRFET 2 Infineon è un MOSFET a canale N da 30 V adatto per varie applicazioni. Funziona in condizioni estreme, con una temperatura nominale massima di 175 °C ed è conforme alle normative ambientali.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Placcatura del cavo senza piombo.
Conformità alla direttiva RoHS
Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21
Link consigliati
- MOSFET di potenza Infineon 2.05 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Infineon 1.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.05 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.115 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.35 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPD023N03LF2SATMA1
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB65R099CFD7AATMA1
- MOSFET Infineon 0.115 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie IPB65R115CFD7AATMA1