MOSFET ROHM, canale Canale N 40 V, 1.85 mΩ, 280 A, 3 Pin, TO-263AB-3LSHYAD, Superficie RJ1G10BBGTL1
- Codice RS:
- 780-361
- Codice costruttore:
- RJ1G10BBGTL1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 nastro da 2 unità*
8,74 €
(IVA esclusa)
10,66 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 790 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,37 € | 8,74 € |
| 20 - 98 | 3,845 € | 7,69 € |
| 100 + | 3,10 € | 6,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 780-361
- Codice costruttore:
- RJ1G10BBGTL1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 280A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.85mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 192W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 210nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.77mm | |
| Larghezza | 8.9mm | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 280A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263AB-3LSHYAD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.85mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 192W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 210nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.77mm | ||
Larghezza 8.9mm | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM offre una commutazione a canale N ad alte prestazioni per la gestione dell'alimentazione automobilistica e industriale. Questo dispositivo certificato AEC-Q101 è progettato per applicazioni ad alta tensione, garantendo un funzionamento efficiente in ambienti di veicoli impegnativi.
Tensione da drenaggio a sorgente di 100 V
Corrente di drenaggio continua di 12 A
Pacchetto DFN2020Y compatto
Qualificazione AEC-Q101 per il settore automobilistico
Link consigliati
- MOSFET ROHM 2.41 mΩ 3 Pin Montaggio superficiale RJ1L10BBGTL1
- MOSFET singoli ROHM 5.3 mΩ Miglioramento TO-263AB-3LSHYAD, Superficie RJ1N04BBHTL1
- 1 MOSFET ROHM 8.2 mΩ TO-263AB Miglioramento, 3 Pin RJ1R10BBHTL1
- 1 MOSFET ROHM 8.8 mΩ TO-263AB Miglioramento, 3 Pin RJ1P04BBHTL1
- 1 MOSFET ROHM 5.1 mΩ TO-263AB Miglioramento, 3 Pin RJ1P07CBHTL1
- 1 MOSFET ROHM 3.0 mΩ TO-263AB Miglioramento, 3 Pin RJ1P10BBHTL1
- MOSFET singoli ROHM 27 mΩ Miglioramento TO-263AB, Superficie RJ1R04BBHTL1
- MOSFET ROHM 280 mΩ 8 Pin Montaggio superficiale RQ3N025ATTB1