MOSFET singoli Vishay, canale N 60 V, 0.0046 Ω Modalità di potenziamento, 100 A, 8 Pin, P, Montaggio superficiale

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Codice RS:
829-354
Codice costruttore:
SQJ766EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

P

Serie

SQJ

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0046Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Dissipazione di potenza massima Pd

93W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.04mm

Larghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a doppio canale N per uso automobilistico ad alte prestazioni di Vishay è progettato per le applicazioni più impegnative. Offre una robusta efficienza e affidabilità in vari sistemi elettronici.

La tecnologia TrenchFET Gen IV garantisce prestazioni efficienti

Il dispositivo ha una qualifica AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche

100% R e testato UIS per l'affidabilità

La bassa resistenza in stato attivo riduce la perdita di energia

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