MOSFET singoli Vishay, canale N 60 V, 0.00182 Ω Modalità di potenziamento, 268 A, 8 Pin, P, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 829-352
- Codice costruttore:
- SQJ160ELP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 829-352
- Codice costruttore:
- SQJ160ELP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 268A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | P | |
| Serie | SQJ | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.00182Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 91nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 245W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Larghezza | 4.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 268A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package P | ||
Serie SQJ | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00182Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 245W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Larghezza 4.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 1.04mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- GB
Il MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per applicazioni automobilistiche, garantendo affidabilità ed efficienza in ambienti difficili.
La tecnologia TrenchFET migliora le prestazioni e riduce la perdita di energia
Certificazione AEC-Q101, che garantisce la conformità per l'uso automobilistico
Gli ampi test R e UIS garantiscono una funzionalità robusta
Progettato per elevate capacità di corrente con una corrente di drenaggio continua massima di 268 A
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