MOSFET singoli Microchip, canale N 600 V, 18 Ω Modalità di potenziamento, 120 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
862-370
Codice costruttore:
APT100N60BC7
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

APT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Dissipazione di potenza massima Pd

416W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

226nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS 3-Compliant

Lunghezza

20.15mm

Altezza

40.5mm

Larghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a supergiunzione di Microchip offre una gestione efficiente dell'alimentazione per le applicazioni ad alta tensione. Offre un funzionamento affidabile e robusto in ambienti difficili, garantendo prestazioni ottimali nei sistemi elettrici.

La bassa resistenza all'accensione riduce al minimo le perdite di conduzione

Il recupero inverso ultra-rapido riduce le perdite di commutazione

La bassa carica del gate garantisce un funzionamento affidabile ad alte frequenze

Classificato a valanga per una robustezza di commutazione rigida superiore

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