MOSFET Nexperia, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 112-5548P
Codice costruttore:: BST82,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 112-5548P
Codice costruttore:: BST82,215
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	190 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	10 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	830 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-65 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, oltre 100 V, Nexperia

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