MOSFET DiodesZetex, canale P, 200 mΩ, 3,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-9640
Codice costruttore:: DMG2305UX-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 200 mΩ, 3,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 6000	0,053 €	159,00 €
9000 +	0,051 €	153,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 121-9640
Codice costruttore:: DMG2305UX-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	10,2 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 200 mΩ, 3,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 12 V a 25 V, Diodes Inc

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