2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 5 Ω, 520 mA 20 V, SOT-963, Superficie
- Codice RS:
- 122-3245
- Codice costruttore:
- DMC2990UDJ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*
950,00 €
(IVA esclusa)
1160,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Spedizione a partire dal 20 aprile 2026
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,095 € | 950,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 122-3245
- Codice costruttore:
- DMC2990UDJ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 520mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-963 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 350mW | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Altezza | 0.45mm | |
| Larghezza | 0.85 mm | |
| Lunghezza | 1.05mm | |
| Standard/Approvazioni | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 520mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-963 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Tensione diretta Vf 0.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 350mW | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Altezza 0.45mm | ||
Larghezza 0.85 mm | ||
Lunghezza 1.05mm | ||
Standard/Approvazioni J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato Tipo N 520 mA 20 V Superficie
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato Tipo N 620 mA 60 V Superficie
- 2 Piccolo segnale onsemi Tipo isolato 4.5 Ω SOT-963 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Tipo isolato Tipo P 700 mA 20 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato 13.5 Ω SOT-563 6
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato Tipo N 6.4 A 30 V Superficie Miglioramento,
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato 13 Ω SOT-563 6 Pin
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato Tipo P 3.4 A 30 V Superficie Miglioramento,
