MOSFET onsemi, canale P, 18,7 mΩ, 10,8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-1417
Codice costruttore:: FDD4141
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 18,7 mΩ, 10,8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

3900 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,356 €

(IVA esclusa)

0,434 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
2500 +	0,356 €	890,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 124-1417
Codice costruttore:: FDD4141
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	10,8 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	18,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	69 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.73mm
Carica gate tipica @ Vgs	36 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm