MOSFET onsemi, canale P, 18,7 mΩ, 10,8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 809-0880
Codice costruttore:: FDD4141
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 18,7 mΩ, 10,8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 809-0880
Codice costruttore:: FDD4141
Costruttore:: onsemi

FDD4141, P-Channel PowerTrench MOSFET -40V -50A 12.3mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	10,8 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	18,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	69 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.22mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	36 nC a 10 V
Lunghezza	6.73mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET onsemi, canale P, 18,7 mΩ, 10,8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor

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