MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 17.9 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
124-9038
Codice costruttore:
BSZ100N06LS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

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Transistor MOSFET, Infineon


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