MOSFET Infineon, canale N, 34,5 mΩ, 35 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	35 A
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	DirectFET isometrico
Serie	DirectFET, HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Resistenza massima drain source	34,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.9V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	89 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.05mm
Lunghezza	6.35mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	39 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	0.59mm
Minima temperatura operativa	-40 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V

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