MOSFET Infineon, canale N, 2,2 mΩ, 100 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0979
Codice costruttore:: IRFH5250DTRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,2 mΩ, 100 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 130-0979
Codice costruttore:: IRFH5250DTRPBF
Costruttore:: Infineon

IRFH5250DPbF, HEXFET Power MOSFET 25V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	PQFN 5 x 6
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	2,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.35V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	156 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5mm
Lunghezza	6mm
Carica gate tipica @ Vgs	83 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	0.85mm
Tensione diretta del diodo	1V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 2,2 mΩ, 100 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon

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