MOSFET Vishay, canale N, 1,15 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 134-9165
Codice costruttore:: SIRA90DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 1,15 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,575 €

(IVA esclusa)

0,701 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,575 €	1.725,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 134-9165
Codice costruttore:: SIRA90DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

SiRA90DP, N-Channel 30V MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,15 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	102 nC a 10 V
Larghezza	5.26mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.25mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.12mm
Tensione diretta del diodo	1.1V

MOSFET Vishay, canale N, 1,15 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

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