MOSFET Vishay, canale Tipo N 250 V, 67 mΩ Miglioramento, 24.2 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR692DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
134-9731
Codice costruttore:
SIR692DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR692DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, TrenchFET fino a Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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