MOSFET Infineon, canale N, 13,5 mΩ, 62 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 145-8641
Codice costruttore:: IRFB4510PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 13,5 mΩ, 62 A, TO-220AB, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,263 €

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Codice RS:: 145-8641
Codice costruttore:: IRFB4510PBF
Costruttore:: Infineon

IRFB4510PbF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	62 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	13,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	140 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.67mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.83mm
Carica gate tipica @ Vgs	58 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	9.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 13,5 mΩ, 62 A, TO-220AB, Su foro

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