MOSFET Infineon, canale N, 13,5 mΩ, 62 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:
145-8641
Codice costruttore:
IRFB4510PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

62 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

13,5 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

140 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

58 nC a 10 V

Larghezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Altezza

9.02mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

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