MOSFET Infineon, canale N, 180 mΩ, 10 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:
919-4870
Codice costruttore:
IRL520NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

LogicFET

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

180 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

48 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-16 V, +16 V

Carica gate tipica @ Vgs

20 nC a 5 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

8.77mm

Paese di origine:
CN

MOSFET della serie Infineon LogicFET, corrente di scarico continua massima di 10 A, dissipazione di potenza massima di 48 W - IRL520NPBF


Questo MOSFET è progettato per varie applicazioni ad alta potenza. La configurazione a canale N e la capacità di modalità enhancement lo rendono adatto a compiti di commutazione e amplificazione nei settori dell'automazione e dell'elettricità. Con una corrente di drenaggio continua massima di 10 A e una tensione massima drain-source di 100 V, offre prestazioni costanti in ambienti difficili. Il tipo di package TO-220AB facilita una gestione termica efficace in diverse situazioni di montaggio.

Caratteristiche e vantaggi


• Elevata capacità di dissipazione della potenza di 48W per prestazioni robuste

• La bassa resistenza drain-source di 180mΩ migliora l'efficienza

• L'ampia gamma di temperature di esercizio, da -55°C a +175°C, garantisce l'affidabilità del sistema

• Adatto per il montaggio a foro passante, facilita l'integrazione

• La tensione di soglia del gate migliorata tra 1V e 2V ottimizza il controllo

• La configurazione a singolo transistor semplifica la progettazione e l'assemblaggio

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per un'efficiente regolazione della tensione

• Impiegato nei sistemi di controllo dei motori grazie alla sua elevata capacità di corrente

• Applicabile nell'automazione industriale per operazioni di commutazione efficaci

• Integrato nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione per progetti ad alta efficienza energetica

Quale tipo di raffreddamento è consigliato per ottenere prestazioni ottimali?


Un dissipatore efficace è essenziale per mantenere l'efficienza operativa e prevenire il surriscaldamento, soprattutto in condizioni di carico elevato.

Può essere sostituito direttamente con altri MOSFET?


Sebbene sia possibile effettuare sostituzioni dirette, è fondamentale considerare specifiche quali i valori nominali di corrente e tensione, nonché i requisiti dell'azionamento del gate, per garantire la compatibilità e la funzionalità.

Qual è la tensione massima consigliata per il gate-source?


La tensione massima del gate-source non deve superare i -16V e i +16V per evitare danni al dispositivo e garantire un funzionamento affidabile.

Come devo gestire questo MOSFET durante l'installazione?


Adottare precauzioni per le scariche elettrostatiche (ESD) e garantire collegamenti sicuri per evitare guasti o funzionamento intermittente una volta installati in un circuito.

È adatto per applicazioni ad alta frequenza?


Questo MOSFET è adatto per applicazioni di commutazione, ma occorre prestare attenzione alla velocità di pilotaggio del gate e alle condizioni di carico per evitare un degrado delle prestazioni a frequenze più elevate.

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