MOSFET Infineon, canale N, 39 mΩ, 35 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 688-6967
- Codice costruttore:
- IRFB4615PBF
- Costruttore:
- Infineon
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 688-6967
- Codice costruttore:
- IRFB4615PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 35 A | |
| Tensione massima drain source | 150 V | |
| Tipo di package | TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 39 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 3V | |
| Dissipazione di potenza massima | 144 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 26 nC a 10 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 35 A | ||
Tensione massima drain source 150 V | ||
Tipo di package TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 39 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 5V | ||
Tensione di soglia gate minima 3V | ||
Dissipazione di potenza massima 144 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Carica gate tipica @ Vgs 26 nC a 10 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Altezza 9.02mm | ||
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon
MOSFET per controllo di motori
Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.
MOSFET raddrizzatore sincrono
La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.