MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 170 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 145-8617
Codice costruttore:: AUIRFB3207
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 170 A, TO-220AB, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,558 €

(IVA esclusa)

1,901 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per Tubo**
50 +	1,558 €	77,90 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 145-8617
Codice costruttore:: AUIRFB3207
Costruttore:: Infineon

Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	170 A
Tensione massima drain source	75 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.82mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.66mm
Carica gate tipica @ Vgs	180 nC a 10 V
Altezza	16.51mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 170 A, TO-220AB, Su foro

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon

Link consigliati