MOSFET Infineon, canale N, 24 mΩ, 31 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 912-8646
- Codice costruttore:
- AUIRFZ44N
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 912-8646
- Codice costruttore:
- AUIRFZ44N
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 31 A | |
| Tensione massima drain source | 55 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220AB | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 24 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 45 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 65 nC a 10 V | |
| Lunghezza | 10.66mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Altezza | 16.51mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 31 A | ||
Tensione massima drain source 55 V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220AB | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 24 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Tensione di soglia gate minima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 45 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 65 nC a 10 V | ||
Lunghezza 10.66mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Materiale del transistor Si | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Altezza 16.51mm | ||
- Paese di origine:
- MX
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