MOSFET Infineon, canale N, 19 mΩ, 9,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 145-9570
Codice costruttore:: IRL6342TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 19 mΩ, 9,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)**

0,182 €

(IVA esclusa)

0,222 €

(IVA inclusa)

120 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
4000 +	0,182 €	728,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 145-9570
Codice costruttore:: IRL6342TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRL6342PbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	19 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC a 4,5 V
Larghezza	4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Infineon, canale N, 19 mΩ, 9,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

Link consigliati