MOSFET Infineon, canale N, 19 mΩ, 9,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:
145-9570
Codice costruttore:
IRL6342TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

9,9 A

Tensione massima drain source

30 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

19 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.1V

Tensione di soglia gate minima

0.5V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Lunghezza

5mm

Larghezza

4mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

11 nC a 4,5 V

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V

Paese di origine:
TH

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.


Transistor MOSFET, Infineon


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