MOSFET Nexperia, canale Tipo N 20 V, 3 Ω Miglioramento, 600 mA, 8 Pin, DFN, Superficie PMDXB600UNEZ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-3178
Codice costruttore:
PMDXB600UNEZ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

600mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

4.03W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.4mm

Larghezza

1.05 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e tecnologie di contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

20 V, doppio MOSFET Trench a canale N. Doppio transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore ultra-piccolo senza terminale in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) DFN1010B-6 (SOT1216) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile, senza cavi: 1,1 x 1 x 0,37 mm

Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 1 kV HBM

Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 470 mΩ

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