MOSFET Nexperia, canale Tipo P -20 V, 57 mΩ Miglioramento, -5.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie PMV30XPEAR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
153-1886
Codice costruttore:
PMV30XPEAR
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

57mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Dissipazione di potenza massima Pd

5.44W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Trench a canale P da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un piccolo contenitore in plastica SOT23 (TO-236AB) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Commutazione rapidissima

Maggiore capacità di dissipazione di potenza: Ptot = 980 mW

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico high-side

Circuiti di commutazione

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