MOSFET Infineon, canale N, 8,7 mΩ, 16 A, SO-8, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
162-3308
Codice costruttore:
IRF7805ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

16 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SO-8

Serie

IRF7805Z

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

8,7 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.25V

Tensione di soglia gate minima

1.35V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±20 V

Larghezza

4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

18 nC a 4,5 V

Lunghezza

5mm

Numero di elementi per chip

1

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1V

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 16 A, dissipazione di potenza massima di 2,5 W - IRF7805ZTRPBF


Questo MOSFET di Infineon impiega l'avanzata tecnologia HEXFET, che offre prestazioni ottimizzate per applicazioni ad alta efficienza. Grazie alla sua configurazione a canale N, gestisce efficacemente elevate correnti di drain continue mantenendo una bassa resistenza di accensione, rendendolo adatto a compiti che richiedono una solida efficienza elettrica. La possibilità di montaggio in superficie e il package compatto SO-8 ne aumentano la versatilità, in particolare per i circuiti di conversione CC-CC che alimentano i moderni dispositivi elettronici.

Caratteristiche e vantaggi


• Basso Rds(on) per ridurre al minimo la perdita di energia
• Aumenta l'efficienza nelle applicazioni ad alta corrente
• Eccellenti prestazioni termiche fino a +150°C
• Capacità di commutazione rapida per una migliore risposta del dispositivo
• Tensione massima gate-source di ±20V

Applicazioni


• Applicazioni che richiedono basse perdite di conduzione
• Dispositivi di comunicazione mobile e processori
• Sistemi di alimentazione per dispositivi elettronici
• Automazione e controllo nei sistemi elettrici

Qual è la capacità massima di corrente di drenaggio continua?


Può gestire fino a 16A, consentendo prestazioni elevate in varie applicazioni.

Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di questo MOSFET nei circuiti?


La sua bassa Rds(on) e l'elevata efficienza riducono le perdite di potenza complessive, consentendo una gestione efficace dell'energia.

Questo MOSFET può funzionare ad alte temperature?


Sì, è classificato per una temperatura operativa massima di +150°C, che ne garantisce la funzionalità in diverse condizioni.

In che modo la velocità di commutazione influisce sulle prestazioni?


Le capacità di commutazione rapida migliorano la risposta del dispositivo, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta frequenza.

Link consigliati