MOSFET Infineon, canale N, 8,7 mΩ, 16 A, SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 162-3308
Codice costruttore:: IRF7805ZTRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 8,7 mΩ, 16 A, SO-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 162-3308
Codice costruttore:: IRF7805ZTRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	16 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SO-8
Serie	IRF7805Z
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.25V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	18 nC a 4,5 V
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 8,7 mΩ, 16 A, SO-8, Montaggio superficiale

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