MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 46 mΩ, 6.5 A, SO-8
- Codice RS:
- 257-9300
- Codice costruttore:
- IRF7313TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
1404,00 €
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1712,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,351 € | 1.404,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9300
- Codice costruttore:
- IRF7313TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 46mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | 0.78V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 46mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf 0.78V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale n doppio da 30 V in un contenitore SO 8.
Conforme a RoHS
Basso RDS(on)
Valore nominale dinamico dv/dt
Commutazione rapida
MOSFET canale n doppio