MOSFET onsemi, canale N, 31 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-2293
Codice costruttore:: NTD20N03L27T4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 31 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,588 €

(IVA esclusa)

0,717 €

(IVA inclusa)

4900 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,588 €	1.470,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-2293
Codice costruttore:: NTD20N03L27T4G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	31 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	74 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-24 V, +24 V
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.22mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	18,9 nC a 10 V c.c.
Altezza	2.38mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 31 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

Link consigliati