MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 40 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5599
Codice costruttore:
IRL2910STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

140nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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