MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 40 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRL2910STRLPBF
- Codice RS:
- 830-3290
- Codice Distrelec:
- 304-44-470
- Codice costruttore:
- IRL2910STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,18 € | 15,90 € |
| 25 - 45 | 2,83 € | 14,15 € |
| 50 - 120 | 2,672 € | 13,36 € |
| 125 - 245 | 2,482 € | 12,41 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 830-3290
- Codice Distrelec:
- 304-44-470
- Codice costruttore:
- IRL2910STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 140nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 140nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
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