MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 55 mΩ Miglioramento, 6.9 A, 6 Pin, TSOP, Superficie

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Codice RS:
165-5841
Codice costruttore:
IRLTS2242TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.75 mm

Altezza

1.3mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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